2분기 58% vs 14%…3나노 공정 경쟁 치열할 듯 반도체 위탁생산(파운드리) 시장에서 세계 1위 TSMC와 2위 삼성전자의 격차가 더 커진 것으로 나타났다. TSMC는 점유율이 60%에 육박한 반면 삼성전자는 15% 밑으로 떨어졌다.1일 시장조사업체 카운터포인트에 따르면 TSMC는 지난 2분기 세계 파운드리 시장에서 점유율(매출액 기준) 58%로 14%의 삼성전자와 격차를 벌렸다. 지난 1분기 조사에선 TSMC가 55%, 삼성전자가 17%였다.같은 기간 대만 파운드리 업체 UMC는 3위(7%), 미국 글로벌파운드리(6%)는 4위를 차지했다. TSMC와 경쟁사들의 점유율 격차가 커지는 양상이다.삼성전자 화성 파운드리 공장[사진=삼성전자 ]삼성전자는 TSMC와 격차를 좁히기 위해 3나노미터(nm) 공정에 사활을 걸 전망이다.​5나노 공정으로 반도체를 양산하는 건 TSMC와 삼성 뿐인데, 두 회사 모두 내년 3나노 공정 도입을 목표로 하고 있다.3나노 공정으로 제작된 반도체는 5나노 대비 칩 면적은 35% 줄이면서, 성능과 배터리 효율은 각각 15%와 30% 올릴 수 있는 것으로 알려져 있다.삼성전자는 3나노 공정에서 게이트올어라운드(GAA) 기술로 승부수를 띄운다. GAA는 기존 핀펫((FinFET) 기술보다 전력 효율을 높일 수 있는 기술이다. 삼성은 이를 TSMC보다 앞서 적용한다는 계획이다.반도체의 구성을 이루는 트랜지스터는 전류가 흐르는 채널과 채널을 제어하는 게이트로 구분되는데, GAA는 채널의 4면을 게이트가 둘러싸고 있다. 트랜지스터는 게이트와 채널의 접촉면이 많을수록 전류 흐름을 세밀하게 제어할 수 있다.이에따라 GAA는 반도체의 전류 흐름을 세밀하게 제어하는 등 채널 조정 능력이 높아지는 효과를 볼 수 있다. 게이트와 채널이 3면에서 맞닿아 있는 기존 핀펫 구조보다 GAA가 전력효율을 높일 수 있는 셈이다.업계 관계자는 "삼성이 시스템반도체에서 1위를 하기 위해선 TSMC와 격차를 좁혀야 한다"며 "삼성으로선 3나노 공정을 언제, 어떤 품질로 도입하는지가 관건"이라고 말했다.